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LGW2W121MELA30详细规格: 类别：电容器; 描述：CAP ALUM 120UF 450V 20% SNAP; 系列：GW; 制造商：Nichicon; 电容：120µF; 额定电压：450V; 容差：±20%; 寿命0a0温度：105°C 时为 3000 小时; 工作温度：-25°C ~ 105°C; 特点：通用; 纹波电流：1.22A; ESR（等效串联电阻）：-; 阻抗：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：径向，Can - 卡入式; 尺寸/尺寸：0.984" 直径（25.00mm）; 高度_座高（最大）：1.181"（30.00mm）; 引线间隔：0.394"（10.00mm）; 表面贴装占地面积：-; 包装：散装

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DS1100Z-60/T&R
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 5TAP 60NS 8-SOIC
DSF100J124
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.12UF 100VDC RADIAL
LGW2G331MELA50
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 400V 20% SNAP
IDT70V3379S6PRF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 576KBIT 6NS 128TQFP
DTS060330UDC-P9N
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 3300MA P9 NEG C
IMC1812BN102J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1000UH 5% 1812
GRM31M6R1H102JZ01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1000PF 50V 5% R2H 1206
DSF100J154
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.15UF 100VDC RADIAL
IHSM4825ER1R0L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 1.0UH 8.6A SMD
IDT70V3389S4PRF8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 1.125MBIT 4NS 128TQFP
IMC1812BN120J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 12UH 5% 1812
DTS090133SUDC-P14N
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 9VDC 1330MA P14 NEG C
GRM31M6T1H272JD01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 2700PF 50V 5% T2H 1206
DSF100J183
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.018UF 100VDC RADIAL
IHSM4825ER220L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 22UH 1.7A SMD