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» 型号"LGN2P102MELC30"的供应信息
LGN2P102MELC30 全国供应商、价格、PDF资料
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LGN2P102MELC30详细规格
类别:电容器
描述:CAP ALUM 1000UF 220V 20% SNAP
系列:GN
制造商:Nichicon
电容:1000µF
额定电压:220V
容差:±20%
寿命0a0温度:105°C 时为 3000 小时
工作温度:-40°C ~ 105°C
特点:通用
纹波电流:2.33A
ESR(等效串联电阻):-
阻抗:-
安装类型:通孔
封装/外壳:径向,Can - 卡入式
尺寸/尺寸:1.378" 直径(35.00mm)
高度_座高(最大):1.260"(32.00mm)
引线间隔:0.394"(10.00mm)
表面贴装占地面积:-
包装:散装
LGN2P102MELC30供应商
LGN2P102MELC30
深圳市科雨电子有限公司
171-4729-9698
LGN2P102MELC30
北京显周科技有限公司
13910052844(微
LGN2P102MELC30
瀚佳科技(深圳)有限公司
0755-23915992
LGN2P102MELC30
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
LGN2P102MELC30
北京人上科技有限公司
13910052844(微
LGN2P102MELC30
上海熠富电子科技有限公司
15026993318 /
LGN2P102MELC30
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
查看更多LGN2P102MELC30的供应商
DSA2-16A
单二极管/整流器 IXYS 轴向 DIODE AVALNCH 1600V 7A AXIAL LD
DS1013S-75
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DELAY LINE 75NS 16-SOIC
IMC0603ER82NJ01
固定式 Vishay Dale 0603(1608 公制) INDUCTOR WW 82NH 5% 0603
DTC124EETL
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SC-75,SOT-416 TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3
GRM319R61A106KE19J
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 10UF 10V 10% X5R 1206
IDT72V06L25JI8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC(J 形引线) IC ASYNCH 8192X18 25NS 32PLCC
IDTSTAC9205D5NBEB2XR
接口 - 编解码器 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-VFQFN 裸露焊盘 IC AUDIO CODEC 4CH HD 5V 48-QFN
LLL185C70G334MA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制)宽(长侧)0306(0816 公制) CAP CER 0.33UF 4V 20% X7S 0306
DSA26G
单二极管/整流器 ON Semiconductor * DIODE RECT 2.6A 600V AXIAL
IMC0603ERR10J
固定式 Vishay Dale 0603(1608 公制) INDUCTOR 100NH 5% 0603
DTC124EMT2L
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SOT-723 TRANS NPN 50V 30MA VMT3
IDT72V201L10PF8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO SYNC 256X9 10NS 32-TQFP
GRM319R61A475KA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 10V 10% X5R 1206
LLL185C70G334MA11L
陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制)宽(长侧)0306(0816 公制) CAP CER 0.33UF 4V 20% X7S 0306
DSA30C45HB
二极管,整流器 - 阵列 IXYS TO-247-3 DIODE SCHOTTKY 45V 2X15A TO-247
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