KSD560R 全国供应商、价格、PDF资料

KSD560R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 100V 5A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 3mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 3A，2V

功率_最大：1.5W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：散装

KSD560RTSTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 100V 5A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 3mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 3A，2V

功率_最大：1.5W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件

KSD560RTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 100V 5A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 3mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 3A，2V

功率_最大：1.5W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件