KSC1008COBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 700MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):700mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:70 @ 50mA,2V
- 功率_最大:800mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
KSC1008COTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 700MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):700mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:70 @ 50mA,2V
- 功率_最大:800mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
KSC1008CYBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 700MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):700mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 50mA,2V
- 功率_最大:800mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
KSC1008CYTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 700MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):700mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 50mA,2V
- 功率_最大:800mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
KSC1008GBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 700MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):700mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 50mA,2V
- 功率_最大:800mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
KSC1008GTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 700MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):700mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 50mA,2V
- 功率_最大:800mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
- PMIC - 稳压器 - 线性晶体管驱动器 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC REG CTRLR SGL 3.3V 8-MSOP
- 圆形 - 外壳 ITT Cannon CONN HSG CABLE MNT PLUG 61POS
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 短体 TRANSISTOR PNP 25V 1A TO-92S
- PMIC - 热交换 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 10DFN
- 数字隔离器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DGTL ISOLATOR DUAL 8SOIC
- 电池组 Sanyo Energy BATT PACK 3.6V 1100MAH NICAD
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 560NH 10% 1210
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 IC MOSFET GATE DRIVER 7A 8MSOP
- PMIC - 稳压器 - 线性晶体管驱动器 Texas Instruments * IC REG CTRLR SGL 5V 8MSOP
- PMIC - 热交换 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC USB PWR CTRLR 1.5A 8SOIC
- 数字隔离器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC 3.3/5V DGTL ISOLATOR 8-SOIC
- 电池组 Sanyo Energy BATT PACK 9.6V 1100MAH NICAD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET GATE DVR TINY 7A 6LLP
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 680NH 20% 1210
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 61POS CBL MNT W/SKTS