IXFT58N20详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
- 系列:HiPerFET™
- 制造商:IXYS
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:58A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 29A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4400pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
- 供应商设备封装:TO-268
- 包装:管件
IXFT58N20Q详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
- 系列:HiPerFET™
- 制造商:IXYS
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:58A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 29A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3600pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
- 供应商设备封装:TO-268
- 包装:管件
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 910K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 52A TO268
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 200V 10% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 1.0K OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN