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IXFT15N100Q 全国供应商、价格、PDF资料

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IXFT15N100Q详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 4mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:170nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 25V
功率_最大:360W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商设备封装:TO-268
包装:管件

IXFT15N100Q3详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.05 欧姆 @ 7.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):6.5V @ 4mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:64nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3250pF @ 25V
功率_最大:690W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商设备封装:TO-268
包装:管件

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