IXDN602SI 全国供应商、价格、PDF资料

IXDN602SI详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

系列：-

制造商：IXYS Integrated Circuits Division

类型：

配置：低端

输入类型：非反相

延迟时间：35ns

导通电阻：

电流_峰值：2A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 35 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘

供应商器件封装：8-SOIC-EP

包装：管件

IXDN602SIA详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：DUAL LOW SIDE MOSFET DRIVER

系列：-

制造商：IXYS Integrated Circuits Division

类型：

配置：低端

输入类型：非反相

延迟时间：35ns

导通电阻：

电流_峰值：2A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 35 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：管件

IXDN602SIATR详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN

系列：-

制造商：IXYS Integrated Circuits Division

类型：

配置：低端

输入类型：非反相

延迟时间：35ns

导通电阻：

电流_峰值：2A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 35 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：带卷 (TR)

IXDN602SITR详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：2A 8SOIC EXP MTL DUAL NON INVERT

系列：-

制造商：IXYS Integrated Circuits Division

类型：

配置：低端

输入类型：非反相

延迟时间：35ns

导通电阻：

电流_峰值：2A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 35 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘

供应商器件封装：8-SOIC-EP

包装：带卷 (TR)