ISC1812EB821J 全国供应商、价格、PDF资料
ISC1812EB821J详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR WW 820UH 5% 1812
- 系列:ISC-1812
- 制造商:Vishay Dale
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:820µH
- 电流:
- 额定电流:72mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±5%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 13.5 欧姆
- 不同频率时的Q值:40 @ 796kHz
- 频率_自谐振:2.2MHz
- 工作温度:-55°C ~ 125°C
- 封装/外壳:1812(4532 公制)
- 大小/尺寸:0.177" L x 0.126" W x 0.126" H(4.50mm x 3.20mm x 3.20mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:散装
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSIBLE WW .12 OHM 7W 1% AX
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD-80
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 6.8UH 10% 1812
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 240S 28-SOIC
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 3K OHM 6.5W 5% WW AXIAL
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 84-BPGA IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSIBLE WW .18 OHM 7W 1% AX
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD-80
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 3 OHM 6.5W 5% WW AXIAL
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD-80
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSIBLE WW .27 OHM 7W 1% AX
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 150NH 10% 1812