IRLR8103TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:89A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:89W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR8103TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:89A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:89W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR8103TRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:89A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:89W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR8103VPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:91A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
- 功率_最大:115W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR8103VTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:91A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
- 功率_最大:115W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR8103VTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:91A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
- 功率_最大:115W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 接口 - 专用 Intersil 46-WFQFN 裸露焊盘 IC QUAD DE-EMP DRIVER 46WQFN
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT UFAST 600V 11A COPACK D2PAK
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 110POS TYPE A R/A
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OP AMP DUAL RRIO 4.5MHZ 8MSOP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR HARD PLASTIC FOR PHOTO
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO LN 3.3/1.8V 6UTDFN
- PMIC - 稳压器 - 专用型 International Rectifier TO-220-5 IC SWTCH PWR 650V 2.5A TO-220-5
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 110POS TYPE A R/A
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP DUAL RRIO MCPWR 16-QSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR HARD PLASTIC FOR PHOTO
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3.3/1.2V .15A 6-UTDFN
- 二极管,整流器 Vishay Semiconductors INT-A-PAK(3) DIODE STD REC 800V 165A INTAPAK