IRLR7833详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4010pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR7833CPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR7833CTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7833CTRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7833PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4010pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR7833TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4010pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1500PSI 3/8-24 UNF 4.5V
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 8-16MIN 28TSOP
- TVS - 其它复合 Littelfuse Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SIDACTOR SLIC ENHC 65V 30A SOIC8
- 叶片型电源 Cinch Connectors CONN PLUG 4POS CADMIUM SOLDER
- TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-201AD,轴向 DIODE TVS 1500W 5V UNI DO-201AD
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1500PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
- PMIC - 监控器 Intersil TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.63V SOT23-3
- TVS - 其它复合 Littelfuse Inc DO-214AA,SMB SIDAC SLIC UNI 65V 150A DO-214AA
- 电池组 Panasonic - BSG BATTERY PACK NICAD 7.2V 300MAH
- TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-201AD,轴向 DIODE TVS 1500W 12V UNI DO-201AD
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1500PSIS 1/8 NPT 4-20MA
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23