IRLR3410TR 全国供应商、价格、PDF资料
IRLR3410TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR3410TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR3410TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRLR3410TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR3410TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRLR3410TRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM QDRII 144MB 165FBGA
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) HEX/MOS P-CHAN DUAL 20V 9A 8SOIC
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 1M
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
- 晶体 Fox Electronics 4-SMD,无引线(DFN,LCC) CRYSTAL 12.0 MHZ 20PF SMD
- 安全 Hirose Electric Co Ltd CONN CABLE CLAMP 18MM
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM DDRII 144MBIT 165FBGA
- 螺线形绕线,伸缩套管 Techflex 241-BBGA FLEXO WRAP 2" BLACK 100’
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 10M
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
- 晶体 Fox Electronics 4-SMD,无引线(DFN,LCC) CRYSTAL 14.7456 MHZ 20PF SMD
- 圆形 - 配件 Hirose Electric Co Ltd CONN STRAIN RELIEF JR25 12MM
- 螺线形绕线,伸缩套管 Techflex 241-BBGA FLEXO WRAP 2" BLACK 25’
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM QDRII 144MBIT 165FBGA