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IRLR3105 全国供应商、价格、PDF资料

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IRLR3105PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:710pF @ 25V
功率_最大:57W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:管件

IRLR3105TRLPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:710pF @ 25V
功率_最大:57W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

IRLR3105TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:710pF @ 25V
功率_最大:57W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:剪切带 (CT)

IRLR3105TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:710pF @ 25V
功率_最大:57W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

IRLR3105TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:710pF @ 25V
功率_最大:57W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:Digi-Reel®

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