IRLR2905TR 全国供应商、价格、PDF资料
IRLR2905TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR2905TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR2905TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRLR2905TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRLR2905TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR2905TRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 450MHZ 165-BGA
- 矩形- 接头,公引脚 Samtec Inc 492-BBGA CONN HEADER .156" 4POS SNGL TIN
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 2M
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 125 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 0.6PF 50V T2H 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 500MHZ 165-FPBGA
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 2M
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 160 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 1500PF 10V 5% U2J 0402
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 保险丝 - 电气,特制 Cooper Bussmann 圆柱形,扁平端子(螺栓) FUSE 200A 1000V UL