IRLR120详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫欧 @ 4.6A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR120ATF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫欧 @ 4.2A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR120NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR120NTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR120NTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRLR120NTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC FREQ SYNTH DUAL 20-TSSOP
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Lattice Semiconductor Corporation 484-BBGA IC FPGA 50KLUTS 270I/O 484-BGA
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ SC70-5
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 4-WFBGA IC REG LDO 1.7V .3A 4USMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- 固定式 Murata Electronics North America 0806(2016 公制) INDUCTOR WW 1.0UH 595MA 0806
- 评估演示板和套件 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) EVALUATION BOARD FOR LMX2430
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OPAMP PREC LN DUAL 8-MSOP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 4-WFBGA IC REG LDO 1.7V .3A 4USMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ SC70-5
- 固定式 Murata Electronics North America 0806(2016 公制) INDUCTOR 1.5UH 445MA 0806
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS .100 EYELET
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP RR 1.2MHZ DUAL 8SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK