

IRLR110详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 2.6A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR110ATF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫欧 @ 2.35A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR110ATM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫欧 @ 2.35A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR110PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 2.6A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR110TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 2.6A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR110TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 2.6A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 IC OP AMP R-R SGL ULN 6-UTDFN
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Lattice Semiconductor Corporation 256-BGA IC FPGA 20KLUTS 140I/O 256-BGA
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics SC-74A,SOT-753 IC OP AMP SGL ENHANCED SOT23-5
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 4-WFBGA IC REG LDO 2.8V .15A 4USMD
- 固定式 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) INDUCTOR 5.6NH 430MA 0603
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 24-UFQFN,CSP IC FREQ SYNTH 2.6GHZ 24LAMUCSP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil SOT-23-6 IC OPAMP R-R SGL ULN SOT23-6
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC OP AMP SGL STD SC70-5
- 评估板 - 线性稳压器 (LDO) Texas Instruments 4-WFBGA BOARD EVALUATION LP3991TL-1.2
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- 固定式 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) INDUCTOR 6.8NH 430MA 0603
- 评估板 - 运算放大器 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 EVALUATION BOARD FOR ISL28194
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 24-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC FREQ SYNTH 2.6GHZ 24-TSSOP