IRL3714L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 10V
- 功率_最大:47W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL3714LPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 10V
- 功率_最大:47W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL3714PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 10V
- 功率_最大:47W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL3714S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 10V
- 功率_最大:47W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL3714SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 10V
- 功率_最大:47W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL3714STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 10V
- 功率_最大:47W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 10PF 50V 5% T2H 0805
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 STD. BOX 4-CAM.PNP
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS WALL MNT W/SCKT
- 配件 Avago Technologies US Inc. MOUSE LENS OPTICAL SS RECTANGLE
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 100V 5% RADIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 10PF 50V 5% T2H 0805
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 82UH 10% 1210
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 5POS WALL MT SCKT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HISPD HMI 2-CAM.NPN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
- 配件 Avago Technologies US Inc. MOUSE LENS OPTICAL SS RECTANGLE
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 100PF 50V 5% T2H 0805
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 8.2UH 5% 1210