IRL3705Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 52A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2880pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL3705ZL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 52A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2880pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL3705ZLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 52A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2880pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL3705ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 52A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2880pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL3705ZS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 52A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2880pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL3705ZSPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 52A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2880pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 2.2UH 8.4A SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 100K OHM 8 RES 1608
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 205 OHM 1W 1% 2512 SMD
- FET - 阵列 International Rectifier DirectFET? 等距 MC MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 3300UH .27A SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 20.5K OHM 1W 1% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 1M OHM 8 RES 1608
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 4700UH .23A SMD