IRL3705NL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:89A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 46A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3600pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL3705NLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:89A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 46A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3600pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL3705NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:89A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 46A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3600pF @ 25V
- 功率_最大:170W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL3705NS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:89A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 46A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3600pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL3705NSPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:89A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 46A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3600pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL3705NSTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:89A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 46A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3600pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 Cypress Semiconductor Corp MCU PSOC EMU POD FOR 20,28 SOIC
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 IXYS Integrated Circuits Division 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 89A TO-220AB
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 1.1PF 50V P2H 0603
- FET - 单 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 200A TO-263
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SRAM 16MBIT 8NS 54TSOP
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) TRANSCEIVER RS-485/422 5V 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 0.8PF 50V R2H 0603
- 配件 Cypress Semiconductor Corp MCU PSOC EMU POD FOR 20,28 SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 1.3PF 50V P2H 0603
- FET - 单 IXYS TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 10PF 100V 5% R2H 0603
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 IXYS Integrated Circuits Division TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5