IRL3402详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 51A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL3402L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 85A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 51A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262-3
- 包装：管件
IRL3402PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 51A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL3402S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 51A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL3402SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 51A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL3402STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 51A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
- 配件 Terasic Technologies Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） KIT DEV 4.3" LCD TOUCH PANEL
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC SWITCH DUAL SPDT 10TDFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET BRIDGE DC FOR P2RF
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANS DARL NPN 20V 1.2A TO-92
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC VOICE REC/PLAY 12-SEC 28-SOIC
- 接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 23POS
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485/422 5V ESD 8-SOIC
- 配件 Terasic Technologies Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） KIT DEV 4.3" LCD TOUCH PANEL
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR NPN SS DARL 5K TO-92
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET BRIDGE DC FOR P2RF
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-DIP（0.600"，15.24mm） IC VOICE REC/PLAY 10-SEC 28-PDIP
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
- 配件 Terasic Technologies Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） KIT DEV 4.3" LCD TOUCH PANEL
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485/422 5V ESD 8-SOIC
0755-88917652 
0512-67241533 
755-83241160（ 
010-62962871、 
19166203057 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-82542579 
18927479189 
0755-83223003 
18926544209/1 
0755-83798683 
021-51872165/ 
0755-82778126 
0755-83679110 
