IRFZ44EL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 48A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：48A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 29A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
- 风扇 - 配件 EBM-Papst Industries Inc 8-DIP 模块，1/4 砖 INLET RING F/RH40M IMPELLER SER
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 220NH 10% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- 风扇 - 配件 EBM-Papst Industries Inc 8-DIP 模块，1/4 砖 INLET RING F/RH50M IMPELLER SER
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X3MM W/ADH
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC
- 其它 International Rectifier IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.6PF 25V NP0 0201
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 9-DIP 模块，1/2 砖 MODULE DC/DC 1/2 BRICK 28V 16A
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 680NH 20% 1812
19166203057 
18913062888 
0755-82561519 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-22655674 
171-4729-0036 
0755-82561519 
15821228847 / 
010-62962871、 
18927479189 
021-51872165/ 
0755-８２７８９２９６ 
0512-82613006 
