IRFZ24NSPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRFZ24NSTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRFZ24NSTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
IRFZ24NSTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
IRFZ24NSTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRFZ24NSTRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 布线管,配线管道 Panduit Corp DUCT WIRE SLOT PVC BLACK 36"
- 评估演示板和套件 NKK Switches TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DESIGN KIT FOR OLED ROCKER
- 振荡器 Pericom 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 25MHZ 3.3V SMD
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201
- 脉冲 Pulse Electronics Corporation MODULE SINGLE GIGABIT LAN 24SOIC
- D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB - HMP37H/AE37G/X
- 振荡器 Pericom 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 25MHZ 3.3V SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 28-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 28-QFN
- 振荡器 Pericom 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 26MHZ 1.8V SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201
- 脉冲 Pulse Electronics Corporation GIGABIT SINGLE
- D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB-HMM09H/AE09G/HMM09H
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 4700PF 50V 5% RADIAL