IRFU4105详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
IRFU4105PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
IRFU4105Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24.5 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
IRFU4105ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24.5 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
IRFU4105ZTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24.5 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:TO-251AA
- 包装:带卷 (TR)
IRFU4105ZTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24.5 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:TO-251AA
- 包装:带卷 (TR)
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.68UF 400VDC RADIAL
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC DGTL POT 4CH 50K 20QFN
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC REG BOOST ADJ 2.1A 6LLP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP INSTR 600KHZ SGL 8SOIC
- 评估板 - 音频放大器 Texas Instruments 10-WDFN 裸露焊盘 BOARD EVAL FOR LM4951A
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.68UF 400VDC RADIAL
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC DGTL POT 4CH 50K 20TSSOP
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC REG BOOST ADJ 1A SOT23-5
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 10-WDFN 裸露焊盘 IC AMP AUDIO PWR 1.8W MONO 10LLP
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC DGTL POT 4CH 10K 20QFN
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.082UF 400VDC RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP INSTR 120KHZ SGL 8SOIC
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220