IRFR6215TR 全国供应商、价格、PDF资料
IRFR6215TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:295 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR6215TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:295 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR6215TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:295 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR6215TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:295 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR6215TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:295 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRFR6215TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:295 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 16-DIP(0.300",7.62mm) IC VOICE REC/PLAY 16SEC 16-DIP
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鸥翼型 OPTOCOUPLER 15MBD 3.3V 8-SMD GW
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - 螺丝端子 CAP ALUM 18000UF 200V 20% SCREW
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK(3 + 2) SCR DBL HISCR 1000V 105A ADDAPAK
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盘 IC XMITTER/RCVR ESD RS232 32-QFN
- 电池,充电式(蓄电池) Panasonic - BSG BATTERY NIMH 1.2V 3000MAH W/TAB
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 IC REG PWM 0.6A DUAL LDO 24-QFN
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鸥翼型 OPTOCOUPLER 2CH 10MBD UL 8SMD GW
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - 螺丝端子 CAP ALUM 1000UF 200V SCREW
- SCR Vishay Semiconductors INT-A-PAK(3 + 2) SCR DBL HISCR 1400V 140A INTAPAK
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盘 IC XMITTER/RCVR ESD RS232 32-QFN
- 电池组 Panasonic - BSG BATTERY PACK 2.4V 3200MAH NIMH
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 IC REG TRPL SYNC DUAL LDO 24QFN
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鸥翼型 OPTOCOUPLER 2CH 10MBD 8-SMD