添加收藏夹 设为首页 服务热线:0755-83030533  83035099 网站地图|企业名录|IC详细资料|热门库存|Pdf资料

51电子网Log图片

IC供应IC求购PDF资料非IC供应

热门搜索:
QG82915PM
QG82910GMLE
QFM2171
QF15AA60
QEE113
QED123
QEC122
QCA8334-AL3C
QAMI5516AUA
Q2220I-50N
P6KE150A
P55NF06
P4SMA250A
P3500SCL
P30NS15LFP
P25NM60N
P2004EV
P1CN010N
P0848SNLT
P0502NLT

51电子网联系电话:+86-0755-83030533

当前位置:网站首页 » 库存索引467 » 型号"IRFR4104"的供应信息

IRFR4104 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
按地区:全部 | 广东 | 深圳 | 汕头 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陕西 | 山东 | 江苏 | 深圳外

IRFR4104PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:管件

IRFR4104TR详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

IRFR4104TRL详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

IRFR4104TRLPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

IRFR4104TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

IRFR4104TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
功率_最大:140W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:剪切带 (CT)

IRFR4104供应商

查看更多IRFR4104的供应商
把51电子网设为首页      把51电子网加入收藏夹
关于我们 | 会员收费标准 | 广告服务 | 付款方式 | 友情链接 | 网站地图 | 联系我们 | 免责声明
库存上载:service@51dzw.com   
版权所有:51dzw.COM 粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn) 服务热线(深圳):+86-0755-83030533 83035099 传真:0755-83035052 投诉电话:0755-83030533