IRFR4104PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR4104TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR4104TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR4104TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR4104TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR4104TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 42A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
- PMIC - 电源管理 - 专用 Fairchild Semiconductor 8-DIP(0.300",7.62mm) IC EARTH LEAKAGE DETECTOR 8-DIP
- 固定式 Johanson Technology Inc 0201(0603 公制) IND CER RF 3.3NH 0201
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 固定式 Taiyo Yuden 0603(1608 公制) INDUCTOR 47UH 35MA 10% 0603
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 47UF 6.3V 20% X5R 1206
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 50V 10% RADIAL
- 嵌入式 - CPLD(复杂可编程逻辑器件) Lattice Semiconductor Corporation 256-LFBGA,CSPBGA IC PLD 2112LUTS 256-CABGA
- 配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
- PMIC - 电源管理 - 专用 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC EARTH LEAKAGE DETECTOR 8-SOP
- 照明保护 STMicroelectronics SC-74A,SOT-753 IC BYPASS SWITCH LED UNI SOT23-5
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 22UF 6.3V Y5V 1206
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
- 嵌入式 - CPLD(复杂可编程逻辑器件) Lattice Semiconductor Corporation 100-LQFP IC PLD 2112LUTS 100-TQFP
- DC DC Converters TDK-Lambda Americas Inc 8-DIP 模块,1/4 砖 DC-DC PCB MOUNT QUARTER BRICK
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 27A DPAK