IRFR3711ZTR 全国供应商、价格、PDF资料
IRFR3711ZTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:93A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2160pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3711ZTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:93A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2160pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3711ZTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:93A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2160pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3711ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:93A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2160pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRFR3711ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:93A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2160pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRFR3711ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:93A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2160pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Taiyo Yuden 0806(2016 公制) INDUCTOR WOUND 0.27UH 5% 0806
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 22UF 6.3V 10% X5R 1206
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 390PF 100V X7R RADIAL
- 按钮 C&K Components SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
- FET - 单 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
- 固定式 Taiyo Yuden 0806(2016 公制) INDUCTOR WOUND 0.56UH 5% 0806
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 50V X7R RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 390PF 50V 10% RADIAL
- 按钮 C&K Components SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
- 固定式 Taiyo Yuden 0806(2016 公制) INDUCTOR WOUND 0.82UH 5% 0806
- USB PHIHONG USA TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB CABLE USB A TO MINI-B 1.5M
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Fairchild Semiconductor 8-DIP(0.300",7.62mm) IC OPAMP DUAL GEN PURPOSE 8-DIP
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 22UF 6.3V 20% X5R 1206