IRFR3711详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRFR3711PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRFR3711TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR3711TRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR3711TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR3711TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装，隔离接片 MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC TXRX RS485 FAULT PROT 8MSOP
- 固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 2.2UH 10% 1210
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENSOR PHOTOELECTRIC 10-150MM
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS International Rectifier BOARD EVAL SUPIRBUCK IR3843A
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
- 固定式 TT Electronics/BI 非标准 HIGH CURR LOW PROFILE INDUCTORS
- 固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 56UH 10% 1210
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） TXRX ESD 5V RS-485/422 8SOIC
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，导线引线，带连接器 SENSOR PHOTOELECTRIC 4M
- 固定式 TT Electronics/BI 非标准 HIGH CURR LOW PROFILE INDUCTORS
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS International Rectifier BOARD EVAL FOR IR3856
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
755-83252273 
0755-83051566 
0755-82542579 
0512-67241533 
010-62962871、 
0755－82812004 
0755-88917652 
19166203057 
0755-83747144 
0755-22655674 
0755-82569753 
0755-88291559 
755-83349415/ 
18913062888 
0755-82723761 
