IRFR3706TR 全国供应商、价格、PDF资料
IRFR3706TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2410pF @ 10V
- 功率_最大:88W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3706TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2410pF @ 10V
- 功率_最大:88W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3706TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2410pF @ 10V
- 功率_最大:88W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3706TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2410pF @ 10V
- 功率_最大:88W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3706TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2410pF @ 10V
- 功率_最大:88W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRFR3706TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2410pF @ 10V
- 功率_最大:88W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 500V 10% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL
- 固定式 Taiyo Yuden 0806(2016 公制) INDUCTOR WOUND 3.3UH 290MA 0806
- 陶瓷 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) CAP CER 22UF 6.3V 10% X5R 0805
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 50V 20% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL
- 固定式 Taiyo Yuden 0806(2016 公制) INDUCTOR WOUND 4.7UH 270MA 0806
- 陶瓷 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) CAP CER 22UF 6.3V 20% X5R 0805
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL
- 陶瓷 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) CAP CER 4.7UF 6.3V 20% X5R 0805
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 8200PF 500V 20% RADIAL
- 陶瓷 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) CAP CER 4.7UF 6.3V 20% X5R 0805
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 56A DPAK