IRFR210详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 1.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR210BTM_FP001详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 1.35A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR210PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 1.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR210TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 1.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR210TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 1.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR210TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 1.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- PMIC - 电机和风扇控制器,驱动器 International Rectifier 100-LQFP IC MOTOR CTRL OTP BASED 100-QFP
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC30H/AE30M/HPL30H
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 6PF 250V NP0 0603
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
- 延时型 Omron Electronics Inc-IA Div TIME SWITCH DGTL WEEK 2CIRC 24V
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 210NH SMD
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC34H/AE34G/HPL34H
- PMIC - 电机和风扇控制器,驱动器 International Rectifier 64-LQFP IC MOTOR CTRL SENSORLESS 64-QFP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
- 延时型 Omron Electronics Inc-IA Div TIME SWITCH DGTL YEAR 2CIRCUIT
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 6PF 250V NP0 0603
- 功率 Triad Magnetics 非标准 TRANSF 8VAC .75A FLAT PACK PWR
- 评估演示板和套件 International Rectifier 48-LQFP DESIGN BOARD FOR IRMCK201
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC40H/AE40M/HPL40H