IRFR13N20DTR 全国供应商、价格、PDF资料
IRFR13N20DTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR13N20DTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR13N20DTRLP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR13N20DTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRFR13N20DTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR13N20DTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
- FET - 单 Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
- 固定式 AVX Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR HI-Q 1.3NH 0402 SMD
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK(3 + 4) SCR DBL 2SCR 600V 40A ADD-A-PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REMOTE CONTROL PROGRAMMER
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG LDO 1.8V .8A 8-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP CHOPPR RR .4MHZ 14SOIC
- FET - 单 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
- 固定式 AVX Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR HI-Q 1.6NH 0402 SMD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div OPTICAL COMMUNICATION HEAD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP CHOPPR RR .4MHZ 14TSSOP
- PMIC - 稳压器 - 线性 International Rectifier TO-261-4,TO-261AA IC REG LDO 1.8V .8A SOT-223
- FET - 单 International Rectifier 8-VQFN MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
- 固定式 AVX Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR HI-Q 1.8NH 0402 SMD