IRFR13N20DCPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR13N20DCTRLP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR13N20DCTRRP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR13N20DPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR13N20DTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR13N20DTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- DC DC Converters GE 9-DIP 模块 CONVERTER DC/DC 5V 50W OUT
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1210
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 JAE Electronics 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) CONN RCPT 80POS 0.5MM SMD
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS W/PIN WALL
- FET - 单 IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS JAM NUT W/SKTS
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.15UF 250VDC RADIAL
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 1.2UH 10% 1210
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 NVE Corp/Isolation Products 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) TXRX ISO BUS 20MBPS RS422 16SOIC
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 8POS WALL MNT SKT
- FET - 单 IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.15UF 250VDC RADIAL
- 圆形 - 外壳 ITT Cannon 10 SOCKET CONTACT CONNECTOR
- DC DC Converters GE 8-DIP 模块 CONV DC/DC +5/+-15V 60W OUT