IRFR120详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:360pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR120_R4941详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫欧 @ 5.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252AA
- 包装:管件
IRFR1205详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 26A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR1205PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 26A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR1205TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 26A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR1205TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 26A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER OPTIC THROUGH BEAM
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS International Rectifier BOARD EVAL SUPIRBUCK IR3895
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/SKT
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 6POS STRGHT W/PINS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FLUORORESIN 80CM THRU BEAM
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
- FET - 阵列 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/SKT
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 820NH 5% 1812
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 6POS STRGHT W/PINS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FLUORORESN 80CM THRUBEAM 5M
- 过时/停产零件编号 International Rectifier IC CONVRTR 2PH BUCK 40A W/IP2001