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IRFR1018ETRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 56A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：56A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 47A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2290pF @ 50V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR1018ETRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 56A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：56A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 47A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2290pF @ 50V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRFR1018ETRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 56A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：56A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 47A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2290pF @ 50V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

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K330J10C0GF5TH5
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陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
JM-10
配件 Honeywell Sensing and Control 圆柱形，扁平端子（螺栓） SWITCH HARDWARE AND ACTUATOR
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