IRFP150详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:41A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商设备封装:TO-247-3
- 包装:管件
IRFP150A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 43A TO-3
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 21.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:97nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2270pF @ 25V
- 功率_最大:193W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P
- 包装:管件
IRFP150MPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 23A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商设备封装:TO-247AC
- 包装:管件
IRFP150N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 23A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商设备封装:TO-247AC
- 包装:散装
IRFP150NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 23A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商设备封装:TO-247AC
- 包装:散装
IRFP150PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:41A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商设备封装:TO-247-3
- 包装:管件
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- 其它 FCI HM13089LF METRAL COUPLER
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET E3J TYPE
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC LINEAR
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N CH 100V 56A IPAK
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块,预接线 THRU-BEAM 15M NPN CABLE 5M
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET E3J TYPE
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC LINEAR
- FET - 单 International Rectifier * MOSFET N CH 40V 90A D-PAK
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块,预接线 DETECTOR ONLY 15M NPN CBL 2M
- 其它 FCI HM13105LF METRAL GUIDE PIN