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IRFHM830DTR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1797pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：PQFN（3x3）; 包装：剪切带 (CT)

IRFHM830DTR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1797pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：PQFN（3x3）; 包装：Digi-Reel®

IRFHM830DTR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1797pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：PQFN（3x3）; 包装：带卷 (TR)

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