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IRFH5053TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 9.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 50V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：Digi-Reel®

IRFH5053TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 9.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 50V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：带卷 (TR)

IRFH5053TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 9.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 50V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：剪切带 (CT)

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IRFH5053TR2PBF 江苏芯钻时代电子科技有限公司 18913062888
IRFH5053TR2PBF 北京首天伟业科技有限公司 010-62104931、
IRFH5053TR2PBF 北京元坤国际科技有限公司 010-62104931、
IRFH5053TR2PBF 北京显周科技有限公司 13910052844（微
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IRFH5053TR2PBF 深圳市金嘉锐电子有限公司 0755-22929859

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