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IRFBE30STRLPBF 全国供应商、价格、PDF资料

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IRFBE30STRLPBF详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.1A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 2.5A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
功率_最大：125W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：D2PAK
包装：带卷 (TR)

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