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当前位置:网站首页 » 库存索引842 » 型号"IRFBE30"的供应信息

IRFBE30 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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IRFBE30详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
功率_最大:125W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

IRFBE30L详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
功率_最大:125W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:I2PAK
包装:管件

IRFBE30LPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
功率_最大:125W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:I2PAK
包装:管件

IRFBE30PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
功率_最大:125W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

IRFBE30S详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
功率_最大:125W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:管件

IRFBE30SPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
功率_最大:125W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:管件

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