IRFBC30PBF 全国供应商、价格、PDF资料
IRFBC30PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 欧姆 @ 2.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
- 功率_最大:74W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- FET - 单 IXYS TO-264-3,TO-3BPL MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 68-LCC(J 形引线) IC FIFO 256X18 SYNC 10NS 68-PLCC
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX RS485/422 5V ESD 14SOIC
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
- 逻辑 - FIFO Texas Instruments 64-TQFP IC SYNC FIFO MEM 512X18 64-TQFP
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM CM 40-QFN
- FET - 单 IXYS ISOPLUSi5-Pak? MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 256X18 SYNC 15NS 64STQFP
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP
- 逻辑 - FIFO Texas Instruments 64-TQFP IC SYNC FIFO MEM 4096X18 64-TQFP
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC REG SGL LNB CONTROL 16QFN
- FET - 单 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 256X18 SYNC 25NS 64-TQFP
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 28-WFQFN 裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 28TQFN