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当前位置:网站首页 » 库存索引215 » 型号"IRFB3307"的供应信息

IRFB3307 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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IRFB3307详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:75V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:130A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 75A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5150pF @ 50V
功率_最大:250W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

IRFB3307PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:75V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:130A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 75A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5150pF @ 50V
功率_最大:250W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

IRFB3307ZGPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:75V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:120A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.8 毫欧 @ 75A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:4750pF @ 50V
功率_最大:230W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

IRFB3307ZPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:75V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:120A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.8 毫欧 @ 75A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:4750pF @ 50V
功率_最大:230W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

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