IRF9Z24STRL 全国供应商、价格、PDF资料
IRF9Z24STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:570pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF9Z24STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:570pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 27UH 3.4A SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 270 OHM 8 RES 1608
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 220 OHM 1.5W 5% 2512 SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 47UH 2.6A SMD
- FET - 单 Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 40V 8SON
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 226 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 2.7K OHM 8 RES 1608
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
- FET - 单 Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 40V 8SON
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC