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IRF9620详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF9620L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF9620PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF9620S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF9620SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF9620STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

ISL6236IRZA-TR5281
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盘 IC MAIN PWR CTRLR QUAD 32-QFN
HFW6S-2STE1LF
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI CONN FPC/FFC 6POS 1MM VERT SMD
H3BXG-10108-B6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3049B/X 8"
IRF7478TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
IRF9620L
FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262
E39-S64
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT .5MM INSERT TYPE FOR E3T-FT
ISL62386LOEVAL1Z
评估演示板和套件 Intersil 32-WFQFN 裸露焊盘 EVAL BOARD FOR ISL62386LO 32TQFN
H3BXG-10108-G4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015G/X 8"
HFW8R-2STE1
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI HFW8R-2STE1-FFC/FPC CONN
ISC1210SYR47K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 470NH 10% 1210
E39-S65A
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT .5MM INSERT TYPE FOR E3Z-T
HCPL-0454-060E
光隔离器 - 晶体管，光电输出 Avago Technologies US Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） OPTOCOUPLER 1CH VDE GAASP 8-SOIC
H3BXG-10108-G8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048G/X 8"
HFW8S-2STE1
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI HFW8S-2STE1-HFW8S-2STE1
ISL62391HIEVAL1Z
评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil 28-WFQFN 裸露焊盘 EVALUATION BOARD FOR ISL62391HI

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