IRF9510详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
- 功率_最大:43W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF9510L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 4A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
IRF9510PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
- 功率_最大:43W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF9510S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF9510SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF9510STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC SRAM 36KBIT 12NS 64TQFP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 100V 4A TO-262
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD-80
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16QSOP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SOIC(0.345",8.77mm 宽) IC MEM FIFO 256X9 20NS 28-SOIC
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 6-UFDFN IC REG BUCK SYNC 1.2V .5A 6UTDFN
- 接口 - 串行器,解串行器 Intersil 64-TQFP 裸露焊盘 IC LNG-RCH VID SERDES 64-EPTQFP
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD-80
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16SOIC
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC(J 形引线) IC MEM FIFO 256X9 25NS 32-PLCC
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 6-UFDFN IC REG BUCK SYNC 2.5V 0.5A 6TDFN
- 接口 - 串行器,解串行器 Intersil 64-TQFP 裸露焊盘 IC VIDEO SERDES LONG 64-EPTQFP
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 26A TO-247