IRF830 全国供应商、价格、PDF资料

IRF830详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220

系列：PowerMESH™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：500V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 2.7A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 25V

功率_最大：100W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

IRF830详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：500V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 2.7A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 25V

功率_最大：74W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

IRF8302MTR1PBF详细规格

类别：其它

描述：MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

系列：*

制造商：International Rectifier

类型：

触点类型：

连接器类型：

适用于相关产品：

位置数：

加载位置的数目：

间距：

行数：

行间距：

触点接合长度：

安装类型：

端子：

紧固型：

特点：

触点表面涂层：

触点涂层厚度：

颜色：

包装：

IRF8302MTR1PBF详细规格

类别：其它

描述：MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

系列：*

制造商：International Rectifier

功能：

类型：

配套使用产品/相关产品：

频率：

RF类型：

辅助属性：

封装/外壳：

包装：

IRF8302MTR1PBF详细规格

类别：其它

描述：MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

系列：*

制造商：International Rectifier

套件类型：

套件包括：

包装：

IRF8302MTR1PBF详细规格

类别：其它

描述：MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

系列：*

制造商：International Rectifier