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IRF7811WGTRPBF 全国供应商、价格、PDF资料

型号：厂商：批号：封装：
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IRF7811WGTRPBF详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，4.5V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 16V
功率_最大：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：带卷 (TR)

IRF7811WGTRPBF详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，4.5V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 16V
功率_最大：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：剪切带 (CT)

IRF7811WGTRPBF详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，4.5V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 16V
功率_最大：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：Digi-Reel®

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