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当前位置:网站首页 » 库存索引188 » 型号"IRF7343TR"的供应信息

IRF7343TR 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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IRF7343TRPBF详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.7A,3.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 4.7A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:Digi-Reel®

IRF7343TRPBF详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.7A,3.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 4.7A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)

IRF7343TRPBF详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.7A,3.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 4.7A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:带卷 (TR)

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