IRF7329PBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3450pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7329TR详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3450pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7329TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3450pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF7329TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3450pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7329TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3450pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 25V 10% X5R 1206
- TVS - 其它复合 IXYS 径向 IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
- PMIC - 电压基准 Maxim Integrated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
- 其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
- 陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 25V 20% X5R 1206
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23