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IRF7220 全国供应商、价格、PDF资料

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IRF7220详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:14V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:125nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:8075pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:管件

IRF7220GTRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:14V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:125nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:8075pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)

IRF7220GTRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:14V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:125nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:8075pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:Digi-Reel®

IRF7220GTRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:14V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:125nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:8075pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:带卷 (TR)

IRF7220TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:14V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:125nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:8075pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:Digi-Reel®

IRF7220TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:14V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:125nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:8075pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:带卷 (TR)

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