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IRF6702M2DTRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.6 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 15V; 功率_最大：2.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MA; 供应商设备封装：DIRECTFET? MA; 包装：带卷 (TR)

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IRF6702M2DTRPBF 北京显周科技有限公司 13910052844（微
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