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当前位置:网站首页 » 库存索引156 » 型号"IRF6665TR1PBF"的供应信息

IRF6665TR1PBF 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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IRF6665TR1PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
功率_最大:2.2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
供应商设备封装:DIRECTFET? SH
包装:剪切带 (CT)

IRF6665TR1PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
功率_最大:2.2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
供应商设备封装:DIRECTFET? SH
包装:带卷 (TR)

IRF6665TR1PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
功率_最大:2.2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
供应商设备封装:DIRECTFET? SH
包装:Digi-Reel®

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