IRF6619详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:带卷 (TR)
IRF6619详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6619TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6619TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:带卷 (TR)
IRF6619TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:带卷 (TR)
IRF6619TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:剪切带 (CT)
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 53POS FLANGE W/SKT
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS SKT
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 53POS JAM NUT W/SKT
- 接口 - 电信 Maxim Integrated 100-LQFP IC TXRX E1 3.3V 100-LQFP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP(0.300",7.62mm) IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8DIP
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS PIN
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 10POS PIN
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS
- 接口 - 电信 Maxim Integrated 100-LQFP IC TXRX E1 1-CHIP 3.3V 100-LQFP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 10POS STRGHT W/PINS
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/SCKT
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET